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Vishay推出了一款有30V p沟道功率的MOSFET

  • 科技
  • 2020-12-04 15:39:25
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它被称为SiRA99DP,采用热增强型SO-8封装,并使用该公司的第四代TrenchFET工艺。

Vishay表示:“将这种低Rds(on)与84nC的栅极电荷相结合,SiRA99DP提供了同类最佳的栅极电荷乘以185mΩ.nC的导通电阻。”“作为p沟道MOSFET,该器件不需要电荷泵来提供其n沟道对应器件所需的正栅极偏置。”

预期将在12V输入的电路中应用。

预期将其用作电源开关,反极性电池保护,“或”电源以及电动机驱动器。

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